TFN4061. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN4061

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN4061

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN4061 даташит

 ..1. Size:339K  tinfar
 tfn4061.pdf pdf_icon

TFN4061

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/5 TFN4061 Description High breakdown voltage. Low collector output capacitance. Ideal for chroma circuit. Pb-free package. Symbol Outline TFN4061 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO 300 V Collector-Emitter Voltage

Другие транзисторы: TSC5327CZ, TFN2059, TFN2150, TFN2411, TFN2412, TFN2444, TFN3838, TFN3906, BDT88, TFN4505, TFN5094, TS13002ACT, TS13002CT, TS13003BCT, TS13003CK, TS13003CT, TS13003HVCT