Биполярный транзистор TFN807 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TFN807
Маркировка: 9F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
TFN807 Datasheet (PDF)
..1. Size:450K tinfar
tfn807.pdf
tfn807.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTD Page No: 1/4 TFN807 Description The TFN807 is designed for general purpose switching and amplification applications. It is housed in the SOT-23/SC-59 package which is designed for low power surface mount applications. Low VCE(sat) High switching speed. Complementary to BC817N3 Equivalent Circuit OutlineTFN807 SOT-23BBase
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
