TFN807. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN807

Маркировка: 9F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN807

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN807 даташит

 ..1. Size:450K  tinfar
 tfn807.pdf pdf_icon

TFN807

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN807 Description The TFN807 is designed for general purpose switching and amplification applications. It is housed in the SOT-23/SC-59 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat) High switching speed. Complementary to BC817N3 Equivalent Circuit Outline TFN807 SOT-23 B Base

Другие транзисторы: TS13003CT, TS13003HVCT, TS13003MVCT, TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, C5198, TFN817, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52