TFN847. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN847

Маркировка: 1E_1F_1G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN847

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN847 даташит

 ..1. Size:309K  tinfar
 tfn847.pdf pdf_icon

TFN847

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/6 TFN847 Description The TFN847 is designed for general purpose switching and amplification applications. Complementary to TFN857. Pb-free package Features Low current, I =100mA C(max) Low voltage, BV = 45V. CEO Symbol Outline TFN847 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C)

Другие транзисторы: TS13003MVCT, TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, TFN807, TFN817, S8050, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53, TG55