TFNA14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFNA14

Маркировка: 1N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFNA14

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFNA14 даташит

 ..1. Size:186K  tinfar
 tfna14.pdf pdf_icon

TFNA14

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/5 TFNA14 Description The TFNA14 is a darlington amplifier transistor Complementary to TFNA64. Equivalent Circuit Outline TFNA14 SOT-23 C B E B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCES 30 V Emitter-Base

Другие транзисторы: TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, TFN807, TFN817, TFN847, TFNA06, TIP122, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53, TG55, TH430, TH513