TFNH10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFNH10

Маркировка: 3E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 52

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFNH10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFNH10 даташит

 ..1. Size:234K  tinfar
 tfnh10.pdf pdf_icon

TFNH10

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFNH10 Description The TFNH10 is designed for using in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. Features High transition frequency. ( fT = 1.0GHz, T . @ V =10V, IC=10mA, f=200MHz ) YP CB Very low capacitance. ( Cob = 1.4 pF , T . @ V =10V, f=1MHz ) YP CB Small rbb -Cc and high gain. ( rbb -Cc = 8ps ,

Другие транзисторы: TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, TFN807, TFN817, TFN847, TFNA06, TFNA14, A1015, TG50, TG51, TG52, TG53, TG55, TH430, TH513, TH560