Биполярный транзистор TG51 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: TG51
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам