TG52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TG52

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для TG52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TG52 даташит

 ..1. Size:235K  no
 tg50 tg51 tg52 tg53 tg55.pdf pdf_icon

TG52

Другие транзисторы: TFN807, TFN817, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TIP3055, TG53, TG55, TH430, TH513, TH560, TH562, THA15, THA42TTD03