TG55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TG55

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для TG55

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TG55 даташит

 ..1. Size:235K  no
 tg50 tg51 tg52 tg53 tg55.pdf pdf_icon

TG55

Другие транзисторы: TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53, BC557, TH430, TH513, TH560, TH562, THA15, THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A