TH513. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TH513

Маркировка: TH513

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 127 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 19

Корпус транзистора: SOT120

 Аналоги (замена) для TH513

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TH513 даташит

 ..1. Size:48K  st
 sd1733 th513.pdf pdf_icon

TH513

SD1733 (TH513) RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .OPTIMIZED FOR SSB .30 MHz .50 VOLTS .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P 75 W MIN. WITH 14.0 dB GAIN = OUT .380 4L STUD (M135) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1733 TH513 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1733 is a 50 V Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communic

Другие транзисторы: TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53, TG55, TH430, 13009, TH560, TH562, THA15, THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW