Справочник транзисторов. TH513

 

Биполярный транзистор TH513 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TH513
   Маркировка: TH513
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 127 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 19
   Корпус транзистора: SOT120
 

 Аналог (замена) для TH513

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TH513 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  st
 sd1733 th513.pdf pdf_icon

TH513

SD1733 (TH513)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P 75 W MIN. WITH 14.0 dB GAIN=OUT.380 4L STUD (M135)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1733 TH513PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1733 is a 50 V Class AB epitaxial siliconNPN planar transistor designed primarily for SSBand VHF communic

Другие транзисторы... TFNA14 , TFNH10 , TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , BC548 , TH560 , TH562 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW .

History: MQ2222R | D44Q6

 

 
Back to Top

 


 
.