Биполярный транзистор TH513 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TH513
Маркировка: TH513
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 127 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 19
Корпус транзистора: SOT120
TH513 Datasheet (PDF)
..1. Size:48K st
sd1733 th513.pdf
sd1733 th513.pdf
SD1733 (TH513)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P 75 W MIN. WITH 14.0 dB GAIN=OUT.380 4L STUD (M135)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1733 TH513PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1733 is a 50 V Class AB epitaxial siliconNPN planar transistor designed primarily for SSBand VHF communic
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050