Справочник транзисторов. TH560

 

TH560 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя: TH560

Маркировка: SD1730

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 320 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: SOT121

Аналоги (замена) для TH560

TH560 Datasheet (PDF)

1.1. th560.pdf Size:386K _update

TH560
TH560

SD1730 (TH560) RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS FEATURES SUMMARY Figure 1. Package ■ OPTIMIZED FOR SSB ■ 30 MHz ■ 28 VOLTS ■ IMD –30 dB ■ EFFICIENCY 40% ■ COMMON EMITTER ■ GOLD METALLIZATION ■ POUT = 220 W PEP WITH 12 dB GAIN .500 4L FL (M174) epoxy sealed DESCRIPTION The SD1730 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed prima

Другие транзисторы... TFNH10 , TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , BC549 , TH562 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW .

 


TH560
  TH560
  TH560
  TH560
 
TH560
  TH560
  TH560
  TH560
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: 2SB1308-R | 2SB1308-Q | 2SB1308-P | 2SB1302T-TD-E | 2SB1302S-TD-E | 2SB1260-R | 2SB1260-Q | 2SB1260-P | 2SB1216T-TL-H | 2SB1216T-TL-E | 2SB1216T-H | 2SB1216T-E | 2SB1216S-TL-H | 2SB1216S-TL-E | 2SB1216S-H | 2SB1216S-E | 2SB1205T-TL-E | 2SB1205S-TL-E | 2SB1204T-TL-E | 2SB1204T-E |


Введите не менее 2-х символов!