TH560. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TH560

Маркировка: SD1730

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 320 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT121

 Аналоги (замена) для TH560

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TH560 даташит

 ..1. Size:386K  st
 th560.pdf pdf_icon

TH560

SD1730 (TH560) RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS FEATURES SUMMARY Figure 1. Package OPTIMIZED FOR SSB 30 MHz 28 VOLTS IMD 30 dB EFFICIENCY 40% COMMON EMITTER GOLD METALLIZATION POUT = 220 W PEP WITH 12 dB GAIN .500 4L FL (M174) epoxy sealed DESCRIPTION The SD1730 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed prima

Другие транзисторы: TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53, TG55, TH430, TH513, 2N3906, TH562, THA15, THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW