Справочник транзисторов. TSD1858CH

 

Биполярный транзистор TSD1858CH Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TSD1858CH
   Маркировка: D1858
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для TSD1858CH

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD1858CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  taiwansemi
 tsd1858ch.pdf pdf_icon

TSD1858CH

TSD1858 Low Vcesat NPN Transistor TO-251 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (IPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO 180V 3. Emitter BVCEO 160V IC 1.5A VCE(SAT) 0.3V @ IC = 1A, IB = 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15 @ IC = 1A, IB = 100mA (Typ.) Part No. Package Packing High BVCEO TSD1858CH C5G TO-251 75pcs / Tube Note: G denote for Hal

 9.1. Size:489K  truesemi
 tsd18n20m.pdf pdf_icon

TSD1858CH

TSD18N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 18A,200V,Max.RDS(on)=0.17 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 22nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

Другие транзисторы... THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY , TSD1760CP , A940 , TSD2098ACY , TSD2118CP , TSD2150A , TSD2444CX , TSD882CK , TSD882S , TSL13003 , TV9018NND03 .

 

 
Back to Top

 


 
.