TSD1858CH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD1858CH

Маркировка: D1858

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для TSD1858CH

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD1858CH даташит

 ..1. Size:344K  taiwansemi
 tsd1858ch.pdf pdf_icon

TSD1858CH

TSD1858 Low Vcesat NPN Transistor TO-251 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (IPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO 180V 3. Emitter BVCEO 160V IC 1.5A VCE(SAT) 0.3V @ IC = 1A, IB = 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15 @ IC = 1A, IB = 100mA (Typ.) Part No. Package Packing High BVCEO TSD1858CH C5G TO-251 75pcs / Tube Note G denote for Hal

 9.1. Size:489K  truesemi
 tsd18n20m.pdf pdf_icon

TSD1858CH

TSD18N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 18A,200V,Max.RDS(on)=0.17 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 22nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

Другие транзисторы: THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW, TSD1664CY, TSD1760CP, S8550, TSD2098ACY, TSD2118CP, TSD2150A, TSD2444CX, TSD882CK, TSD882S, TSL13003, TV9018NND03