TSD2444CX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD2444CX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TSD2444CX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD2444CX даташит

 ..1. Size:333K  taiwansemi
 tsd2444cx.pdf pdf_icon

TSD2444CX

TSD2444 Low Vcesat NPN Transistor SOT-23 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Emitter BVCBO 40V 3. Collector BVCEO 25V IC 800mA VCE(SAT) 40mV @ IC / IB = 50 / 2.5mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) Part No. Package Packing Excellent DC Current Gain Characteristics TSD2444CX RF SOT-23 3Kpcs / 7 Reel Structure Epitaxial Planar Type

Другие транзисторы: TIP35CW, TIP36CW, TSD1664CY, TSD1760CP, TSD1858CH, TSD2098ACY, TSD2118CP, TSD2150A, BD335, TSD882CK, TSD882S, TSL13003, TV9018NND03, TK2222ATTD03, TK2907ATTD03, TK3904LLD03, TK3904NND03