TV9018NND03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TV9018NND03

Маркировка: J8

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: WBFBP-03B

 Аналоги (замена) для TV9018NND03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TV9018NND03 даташит

 ..1. Size:284K  jiangsu
 tv9018nnd03.pdf pdf_icon

TV9018NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TV9018NND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE FEATURES 2. EMITTER High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ) BACK 3. COLLECTOR APPLICATION AM/FM Amplifier, Local Oscillat

Другие транзисторы: TSD1858CH, TSD2098ACY, TSD2118CP, TSD2150A, TSD2444CX, TSD882CK, TSD882S, TSL13003, BC546, TK2222ATTD03, TK2907ATTD03, TK3904LLD03, TK3904NND03, TK3906LLD03, TK3906NND03, TMBT3904, TMBT3906