TK2907ATTD03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK2907ATTD03  📄📄 

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: WBFBP-03A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TK2907ATTD03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TK2907ATTD03 даташит

 ..1. Size:97K  jiangsu
 tk2907attd03.pdf pdf_icon

TK2907ATTD03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors C TK2907ATTD03 TRANSISTOR WBFBP-03A (1.6 1.6 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor B E FEATURES 1. BASE C Complementary NPN Type available (TK2222ATTD03) 2. EMITTER 3. COLLECTOR BACK PPLICATION general purpose amplifier, swit

 9.1. Size:448K  toshiba
 tk290a65y.pdf pdf_icon

TK2907ATTD03

TK290A65Y MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK290A65Y TK290A65Y TK290A65Y TK290A65Y 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.23 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 9.2. Size:451K  toshiba
 tk290p65y.pdf pdf_icon

TK2907ATTD03

TK290P65Y MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK290P65Y TK290P65Y TK290P65Y TK290P65Y 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.23 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 9.3. Size:448K  toshiba
 tk290a60y.pdf pdf_icon

TK2907ATTD03

TK290A60Y MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK290A60Y TK290A60Y TK290A60Y TK290A60Y 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.23 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TSD2118CP, TSD2150A, TSD2444CX, TSD882CK, TSD882S, TSL13003, TV9018NND03, TK2222ATTD03, BD135, TK3904LLD03, TK3904NND03, TK3906LLD03, TK3906NND03, TMBT3904, TMBT3906, TRD136D, TRD236D