TK3906NND03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK3906NND03

Маркировка: 3N

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: WBFBP-03B

 Аналоги (замена) для TK3906NND03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TK3906NND03 даташит

 ..1. Size:370K  jiangsu
 tk3906nnd03.pdf pdf_icon

TK3906NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C TK3906NND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor B E C FEATURES 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary NPN Type Available (TK3904NND03) BACK 3. COLLECTOR Ultra-Small Surf

 8.1. Size:93K  jiangsu
 tk3906lld03.pdf pdf_icon

TK3906NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3906LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.0 1.0 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor B E C FEATURES 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary NPN Type Available (TK3904LLD03) BACK 3. COLLECTOR Ultra-Small Surf

 9.1. Size:512K  jiangsu
 tk3904led03.pdf pdf_icon

TK3906NND03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03E Plastic-Encapsulate Transistors TK3904LED03 TRANSISTOR NPN WBFBP-03E DESCRIPTION NPN single switching transistor ultra small SMD plastic package FEATURE 1. BASE Complementary to TK3906LED03 2. EMITTER Single General-Purpose Switching Transistor 3. COLLECTOR APPLICATION General-Purpose Switching and Ampl

 9.2. Size:91K  jiangsu
 tk3904lld03.pdf pdf_icon

TK3906NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3904LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.0 1.0 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor B E FEATURES C 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary PNP Type Available (TK3906LLD03) BACK Ultra-Small Surface Mount Pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TSD882S, TSL13003, TV9018NND03, TK2222ATTD03, TK2907ATTD03, TK3904LLD03, TK3904NND03, TK3906LLD03, TIP127, TMBT3904, TMBT3906, TRD136D, TRD236D, TSC236CZ, TSC236CI, TSC2411CX, TSC4505CX