TRD236D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TRD236D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для TRD236D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TRD236D даташит

 ..1. Size:238K  st
 trd236d.pdf pdf_icon

TRD236D

TRD236D High voltage fast-switching NPN power transistor Preliminary data Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed 3 Integrated antiparallel collector-emitter diode 1 Applications TO-252 (DPAK) Electronic ballast for fluorescent lighting Electronic transf

Другие транзисторы: TK2907ATTD03, TK3904LLD03, TK3904NND03, TK3906LLD03, TK3906NND03, TMBT3904, TMBT3906, TRD136D, SS8050, TSC236CZ, TSC236CI, TSC2411CX, TSC4505CX, TSC5401CT, TSC5904CX, TSC5988CT, TSC873CT