TSC5401CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSC5401CT  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TSC5401CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC5401CT даташит

 ..1. Size:196K  taiwansemi
 tsc5401ct.pdf pdf_icon

TSC5401CT

Preliminary TSC5401 Very High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 700V 3. Base BVCBO 1500V IC 1A VCE(SAT) 1.0V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram Very High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part N

Другие транзисторы: TMBT3904, TMBT3906, TRD136D, TRD236D, TSC236CZ, TSC236CI, TSC2411CX, TSC4505CX, 2SC945, TSC5904CX, TSC5988CT, TSC873CT, TSC873CW, TSC966CT, TSC966CW, TSB1132CY, TSB1184ACP