TSC5988CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSC5988CT  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 72 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TSC5988CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC5988CT даташит

 ..1. Size:145K  taiwansemi
 tsc5988ct.pdf pdf_icon

TSC5988CT

TSC5988 NPN Silicon Planar Medium Power Transistor TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Base BVCBO 150V 3. Collector BVCEO 60V IC 6A VCE(SAT) 0.55V @ IC / IB = 6A / 300mA Features Ordering Information Excellent gain characteristics specified up to 10A Part No. Package Packing Structure TSC5988CT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk Epitaxial Planar Type

 9.1. Size:308K  taiwansemi
 tsc5904cx.pdf pdf_icon

TSC5988CT

TSC5904 Low Vcesat NPN Transistor SOT-23 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Emitter BVCBO 80V 3. Collector BVCEO 60V IC 3A VCE(SAT) 0.60V @ IC / IB = 3 / 300mA Features Ordering Information High Collector-Emitter BVCEO=60V Part No. Package Packing High Collector Current IC =3A TSC5904CX RF SOT-23 3Kpcs / 7 Reel Structure Epitaxial Plana

Другие транзисторы: TRD136D, TRD236D, TSC236CZ, TSC236CI, TSC2411CX, TSC4505CX, TSC5401CT, TSC5904CX, 2SB817, TSC873CT, TSC873CW, TSC966CT, TSC966CW, TSB1132CY, TSB1184ACP, TSB1184CP, TSB1386CY