TSC966CT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSC966CT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для TSC966CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC966CT даташит

 8.1. Size:145K  taiwansemi
 tsc966.pdf pdf_icon

TSC966CT

TSC966 NPN Silicon Planar High Voltage Transistor TO-92 SOT-223 Pin Definition Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 1. Base 2. Collector 2. Collector BVCBO 600V 3. Base 3. Emitter BVCEO 400V IC 300mA VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 50mA / 5mA Features Ordering Information High BVceo, BVcbo Part No. Package Packing High current gain TSC966CT B0 TO-92 1K

Другие транзисторы: TSC236CI, TSC2411CX, TSC4505CX, TSC5401CT, TSC5904CX, TSC5988CT, TSC873CT, TSC873CW, D880, TSC966CW, TSB1132CY, TSB1184ACP, TSB1184CP, TSB1386CY, TSB1412CP, TSB1424ACW, TSB1424CY