Биполярный транзистор TSC966CT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TSC966CT
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: TO92
TSC966CT Datasheet (PDF)
8.1. Size:145K taiwansemi
tsc966.pdf
tsc966.pdf
TSC966 NPN Silicon Planar High Voltage Transistor TO-92 SOT-223 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 1. Base 2. Collector 2. Collector BVCBO 600V 3. Base 3. Emitter BVCEO 400V IC 300mA VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 50mA / 5mA Features Ordering Information High BVceo, BVcbo Part No. Package Packing High current gain TSC966CT B0 TO-92 1K
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050