Справочник транзисторов. TSC966CT

 

Биполярный транзистор TSC966CT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TSC966CT
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TSC966CT Datasheet (PDF)

 8.1. Size:145K  taiwansemi
 tsc966.pdf pdf_icon

TSC966CT

TSC966 NPN Silicon Planar High Voltage Transistor TO-92 SOT-223 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 1. Base 2. Collector 2. Collector BVCBO 600V 3. Base 3. Emitter BVCEO 400V IC 300mA VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 50mA / 5mA Features Ordering Information High BVceo, BVcbo Part No. Package Packing High current gain TSC966CT B0 TO-92 1K

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC4045 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614

 

 
Back to Top

 


 
.