Биполярный транзистор TSC124ENND03 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TSC124ENND03
Маркировка: 25
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: WBFBP-03B
Аналоги (замена) для TSC124ENND03
TSC124ENND03 Datasheet (PDF)
tsc124ennd03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O WBFBP-03B (1.21.20.5) TSC124ENND03 TRANSISTOR TOP unit: mm DESCRIPTION I G NPN Digital Transistor O 1. IN FEATURES 2. GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit BACK 3. OUT without connecting external input resistors
tsc128dc.pdf
TSC128D High Voltage NPN Transistor with Diode Pin Definition: TO-220 TO-263 PRODUCT SUMMARY 1. Base (D2PAK) BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1.5V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti- saturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Stora
tsc1203ecm.pdf
TSC1203E High Voltage NPN Transistor TO-263 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (D2PAK) 1. Base BVCBO 1050V 2. Collector 3. Emitter BVCEO 550V IC 5A VCE(SAT) 0.5V @ IC=1A, IB=200mA Features Ordering Information High Voltage Capability Part No. Package Packing High switching speed TSC1203ECM RNG TO-263 800pcs / 13 Reel Note: G denote for Halogen Fr
tsc123jnnd03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O WBFBP-03B TSC123JNND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION I G NPN Digital Transistor O 1. IN FEATURES 2. GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit BACK without connecting external input resistors (see equiv
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050