TSC10CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSC10CT  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.96 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 980 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TSC10CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC10CT даташит

 ..1. Size:201K  taiwansemi
 tsc10ct.pdf pdf_icon

TSC10CT

Preliminary TSC10 High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 500V 3. Base BVCBO 980V IC 1.5A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Pa

Другие транзисторы: TSA1765CW, TSA5888CY, TSA874CW, TSA884CX, TSA894CT, TPT5609-A, TPT5609-B, TPT5609-C, S8050, TSC114ENND03, TSC114TNND03, TSC114YNND03, TSC1203ECM, TP9383, TP749, TP3020A, TP5002