TP9383 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TP9383  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 108 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: STYLE-500-4L-FLG

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TP9383

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP9383 даташит

 ..1. Size:247K  hgsemi
 tp9383.pdf pdf_icon

TP9383

HG RF POWER TRANSISTOR TP9383 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE 500 4L FLG The HG TP9383 is a Common Emitter Device Designed for FM Broadcast Transmitter Applications in the 88 to 108 MHz Band. FEATURES INCLUDE High Efficiency . . Gold Metallization . Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC 16 A VCBO 60 V PDISS 230 W

 9.1. Size:14K  advanced-semi
 tp9380.pdf pdf_icon

TP9383

TP9380 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI TP9380 is Designed for PACKAGE STYLE .500 4L FLG Class C, FM Broadcast Applications up to 108 MHz. .112x45 L A C .125 NOM. E FULL R FEATURES C Class C Operation B PG = 10 dB at 75 W/108 MHz B E Omnigold Metalization System E D F G H K J I MAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUM

Другие транзисторы: TPT5609-A, TPT5609-B, TPT5609-C, TSC10CT, TSC114ENND03, TSC114TNND03, TSC114YNND03, TSC1203ECM, BD140, TP749, TP3020A, TP5002, TP5002S, TP7L10, TP9012NND03, TP9013NND03, TP9014NND03