TP9012NND03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TP9012NND03  📄📄 

Маркировка: 2T1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: WBFBP-03B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TP9012NND03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP9012NND03 даташит

 ..1. Size:340K  jiangsu
 tp9012nnd03.pdf pdf_icon

TP9012NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9012NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B DESCRIPTION (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURES B E Complementary to TP9013NND03 1. BASE C Excellent hFE linearity 2. EMITTER 3. COLLECTOR APPLICATION BACK 150mW Output Amplifier of Potabl

 9.1. Size:287K  jiangsu
 tp9014nnd03.pdf pdf_icon

TP9012NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TP9014NND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER High hFE and good linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TP9015NND03 E B APPLICATION Pre-Amplifier, Low

 9.2. Size:305K  jiangsu
 tp9013nnd03.pdf pdf_icon

TP9012NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9013NND03 TRANSISTOR DESCRIPTION C NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm FEATURES High Collector Current. (IC=500mA) Complementary to TP9012NND03 B E 1. BASE Excellent hFE linearity. C 2. EMITTER C 3. COLLECTOR APPLICATIO

 9.3. Size:305K  jiangsu
 tp9015nnd03.pdf pdf_icon

TP9012NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9015NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B DESCRIPTION (1.2 1.2 0.5) TOP PNP Epitaxial Silicon Transistor unit mm FEATURES B E High hFE and good linearity C 1. BASE Complementary to TP9014NND03 C 2. EMITTER BACK APPLICATION 3. COLLECTOR Low Frequency, Low Nois

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TSC114YNND03, TSC1203ECM, TP9383, TP749, TP3020A, TP5002, TP5002S, TP7L10, 2N3906, TP9013NND03, TP9014NND03, TP9015NND03, N0202R, N0202S, NE02103, NE02107, NE02112