Справочник транзисторов. TP9015NND03

 

Биполярный транзистор TP9015NND03 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TP9015NND03
   Маркировка: M6
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: WBFBP-03B
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TP9015NND03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  jiangsu
 tp9015nnd03.pdf pdf_icon

TP9015NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9015NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B DESCRIPTION (1.21.20.5) TOP PNP Epitaxial Silicon Transistor unit: mm FEATURES B E High hFE and good linearity C 1. BASE Complementary to TP9014NND03 C 2. EMITTER BACK APPLICATION 3. COLLECTOR Low Frequency, Low Nois

 9.1. Size:287K  jiangsu
 tp9014nnd03.pdf pdf_icon

TP9015NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TP9014NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER High hFE and good linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TP9015NND03 E B APPLICATION Pre-Amplifier, Low

 9.2. Size:340K  jiangsu
 tp9012nnd03.pdf pdf_icon

TP9015NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9012NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B DESCRIPTION (1.21.20.5) TOP unit: mm PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURES B E Complementary to TP9013NND03 1. BASE C Excellent hFE linearity 2. EMITTER 3. COLLECTOR APPLICATION BACK 150mW Output Amplifier of Potabl

 9.3. Size:305K  jiangsu
 tp9013nnd03.pdf pdf_icon

TP9015NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9013NND03 TRANSISTOR DESCRIPTION C NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm FEATURES High Collector Current. (IC=500mA) Complementary to TP9012NND03 B E 1. BASE Excellent hFE linearity. C 2. EMITTER C 3. COLLECTOR APPLICATIO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.