NE02103 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор NE02103 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: NE02103
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO120

Аналоги (замена) для NE02103

NE02103 Datasheet (PDF)

..1. Size:1108K nec
ne02103.pdf

Download from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Li

8.1. Size:1108K nec
ne02107.pdf

9.1. Size:1108K nec
ne02112.pdf

9.2. Size:1108K nec
ne02133.pdf

9.3. Size:171K nec
2sc2351 2sc2149 2sc4092 ne02133 ne02135 ne02139.pdf

NEC's NPN SILICON HIGH NE021FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB,2 GHz Gain CompressionDESCRIPTION00 (CHIP) 07/07BNEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco-nomical solutions to wide ranges of amplifier a

9.4. Size:178K nec
ne021 series.pdf