N0501S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: N0501S  📄📄 

Маркировка: GM_GL_GK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для N0501S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

N0501S даташит

 ..1. Size:78K  renesas
 n0501s.pdf pdf_icon

N0501S

Data Sheet N0501S R07DS0725EJ0100 Rev.1.00 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Mar 30, 2012 FEATURES Complements to N0501R. VCEO = 50 V IC(DC) = 1.0 A Miniature package SOT-23F (2SD1615 Package variation of 3pPoMM) PRODUCT LINEUP Part Number Packing Package Name Package Code Mass [TYP.] N0501S-T1-AT Tape 3000p/reel SOT-23F PVSF0003ZA-A 0.0126g ABSOLUTE MAXIM

Другие транзисторы: NE02135, NE73430, NE73435, NUS5530MN, NXP3875G, NXP3875Y, NZT44H8, NZT45H8, BC546, NJD1718T4G, NJD2873T4G, NJD35N04G, NS2029M3T5G, NSVT30010MXV6T1G, NSVT3904DP6T5G, NSVT3904DXV6T1G, NSVT3946DP6T5G