Биполярный транзистор NSVT65011MW6T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSVT65011MW6T1G
Маркировка: 2G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для NSVT65011MW6T1G
NSVT65011MW6T1G Datasheet (PDF)
nsvt65011mw6t1g.pdf
NST65011MW6Dual Matched GeneralPurpose TransistorNPN Matched PairThese transistors are housed in an ultra-small SOT-363 packagewww.onsemi.comideally suited for portable products. They are assembled to create apair of devices highly matched in all parameters, eliminating the needfor costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential,Sense and Balanced Amplifiers; M
nsvt65010mw6t1g.pdf
NST65010MW6Dual Matched GeneralPurpose TransistorPNP Matched PairThese transistors are housed in an ultra-small SOT-363 packagewww.onsemi.comideally suited for portable products. They are assembled to create apair of devices highly matched in all parameters, eliminating the needfor costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential,6Sense and Balanced Amplifiers
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050