NJT4030PT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJT4030PT3G  📄📄 

Маркировка: 4030P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJT4030PT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJT4030PT3G даташит

 6.1. Size:190K  onsemi
njt4030p njv4030p.pdfpdf_icon

NJT4030PT3G

Bipolar Power Transistors PNP Silicon NJT4030P, NJV4030P Features Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable PNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.0 AMPERES Compliant 40 VOLTS, 2.0 WATT

 6.2. Size:132K  onsemi
njt4030p-t.pdfpdf_icon

NJT4030PT3G

NJT4030P, NJV4030PT1G, NJV4030PT3G Bipolar Power Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features PNP TRANSISTOR Collector -Emitter Sustaining Voltage - 3.0 AMPERES VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc 40 VOLTS, 2.0 WATTS High DC Current Gain - hFE = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc = 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.2

 6.3. Size:274K  onsemi
njt4030p-d.pdfpdf_icon

NJT4030PT3G

NJT4030P Bipolar Power Transistors PNP Silicon Features Collector --Emitter Sustaining Voltage -- http //onsemi.com VCEO(sus) =40Vdc (Min) @IC =10mAdc High DC Current Gain -- PNP TRANSISTOR hFE = 200 (Min) @ IC =1.0 Adc = 100 (Min) @ IC =3.0 Adc 3.0 AMPERES Low Collector --Emitter Saturation Voltage -- 40 VOLTS, 2.0 WATTS VCE(sat) = 0.200 Vdc (Max) @ IC =1.0 Adc = 0.5

Другие транзисторы: NSVT65011MW6T1G, NJL0281DG, NJL0302DG, NJL1302DG, NJL3281DG, NJL4281DG, NJL4302DG, NJT4030PT1G, 2N4401, NJT4031N, NJT4031NT3G, NSL12AWT1G, NSM4002MR6, NSM6056M, NSM80100MT1G, NSM80101MT1G, NSS12100M3