Справочник транзисторов. NJT4031NT3G

 

Биполярный транзистор NJT4031NT3G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: NJT4031NT3G
   Маркировка: 4031N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 215 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для NJT4031NT3G

 

 

NJT4031NT3G Datasheet (PDF)

 6.1. Size:180K  onsemi
njt4031n njv4031nt1g njv4031nt3g.pdf

NJT4031NT3G
NJT4031NT3G

NJT4031N,NJV4031NT1G,NJV4031NT3GBipolar Power TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 inNPN TRANSISTOR NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3.0 AMPERESUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q10140 VOLTS, 2.0 WATTSQualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free a

 6.2. Size:112K  onsemi
njt4031n.pdf

NJT4031NT3G
NJT4031NT3G

NJT4031N,NJV4031NT1G,NJV4031NT3GBipolar Power TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 inNPN TRANSISTOR NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3.0 AMPERESUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q10140 VOLTS, 2.0 WATTSQualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free a

 8.1. Size:190K  onsemi
njt4030p njv4030p.pdf

NJT4031NT3G
NJT4031NT3G

Bipolar Power TransistorsPNP SiliconNJT4030P, NJV4030PFeatures Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3.0 AMPERESCompliant40 VOLTS, 2.0 WATT

 8.2. Size:132K  onsemi
njt4030p-t.pdf

NJT4031NT3G
NJT4031NT3G

NJT4030P,NJV4030PT1G,NJV4030PT3GBipolar Power TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeaturesPNP TRANSISTOR Collector -Emitter Sustaining Voltage - 3.0 AMPERESVCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc40 VOLTS, 2.0 WATTS High DC Current Gain - hFE = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc= 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.2

 8.3. Size:274K  onsemi
njt4030p-d.pdf

NJT4031NT3G
NJT4031NT3G

NJT4030PBipolar Power TransistorsPNP SiliconFeatures Collector --Emitter Sustaining Voltage --http://onsemi.comVCEO(sus) =40Vdc (Min) @IC =10mAdc High DC Current Gain --PNP TRANSISTORhFE = 200 (Min) @ IC =1.0 Adc= 100 (Min) @ IC =3.0 Adc3.0 AMPERES Low Collector --Emitter Saturation Voltage --40 VOLTS, 2.0 WATTSVCE(sat) = 0.200 Vdc (Max) @ IC =1.0 Adc= 0.5

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top