Справочник транзисторов. NSM80100MT1G

 

Биполярный транзистор NSM80100MT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSM80100MT1G
   Маркировка: 3PN
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT26 SOT457
 

 Аналог (замена) для NSM80100MT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSM80100MT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  onsemi
 nsm80100mt1g.pdf pdf_icon

NSM80100MT1G

NSM80100MT1GPNP Transistor with DualSeries Switching DiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantTypical Applications http://onsemi.com LCD Control Board High Speed SwitchingPNP Transistor with Dual Series High Voltage SwitchingSwitching DiodeMAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTORRating Symbol Value Unit6 5 4Collector-E

 7.1. Size:111K  onsemi
 nsm80101mt1g.pdf pdf_icon

NSM80100MT1G

NSM80101MT1GNPN Transistor with DualSeries Switching DiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantTypical Applications http://onsemi.com LCD Control Board High Speed SwitchingNPN Transistor with Dual Series High Voltage SwitchingSwitching DiodeMAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTORRating Symbol Value Unit6 5 4Collector-E

Другие транзисторы... NJL4302DG , NJT4030PT1G , NJT4030PT3G , NJT4031N , NJT4031NT3G , NSL12AWT1G , NSM4002MR6 , NSM6056M , 2SD669 , NSM80101MT1G , NSS12100M3 , NSS12100UW3TCG , NSS12100XV6 , NSS12200LT1G , NSS12200W , NSS12201LT1G , NSV12100UW3TCG .

 

 
Back to Top

 


 
.