NSM80100MT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSM80100MT1G

Маркировка: 3PN

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT26 SOT457

 Аналоги (замена) для NSM80100MT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSM80100MT1G даташит

 ..1. Size:200K  onsemi
 nsm80100mt1g.pdf pdf_icon

NSM80100MT1G

NSM80100MT1G PNP Transistor with Dual Series Switching Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications http //onsemi.com LCD Control Board High Speed Switching PNP Transistor with Dual Series High Voltage Switching Switching Diode MAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit 6 5 4 Collector-E

 7.1. Size:111K  onsemi
 nsm80101mt1g.pdf pdf_icon

NSM80100MT1G

NSM80101MT1G NPN Transistor with Dual Series Switching Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications http //onsemi.com LCD Control Board High Speed Switching NPN Transistor with Dual Series High Voltage Switching Switching Diode MAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit 6 5 4 Collector-E

Другие транзисторы: NJL4302DG, NJT4030PT1G, NJT4030PT3G, NJT4031N, NJT4031NT3G, NSL12AWT1G, NSM4002MR6, NSM6056M, TIP2955, NSM80101MT1G, NSS12100M3, NSS12100UW3TCG, NSS12100XV6, NSS12200LT1G, NSS12200W, NSS12201LT1G, NSV12100UW3TCG