NSM80101MT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

NSM80101MT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NSM80101MT1G
   Маркировка: 3NP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT26 SOT457

 Аналоги (замена) для NSM80101MT1G

 

NSM80101MT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  onsemi
 nsm80101mt1g.pdf pdf_icon

NSM80101MT1G

NSM80101MT1G NPN Transistor with Dual Series Switching Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications http //onsemi.com LCD Control Board High Speed Switching NPN Transistor with Dual Series High Voltage Switching Switching Diode MAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit 6 5 4 Collector-E

 7.1. Size:200K  onsemi
 nsm80100mt1g.pdf pdf_icon

NSM80101MT1G

NSM80100MT1G PNP Transistor with Dual Series Switching Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications http //onsemi.com LCD Control Board High Speed Switching PNP Transistor with Dual Series High Voltage Switching Switching Diode MAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit 6 5 4 Collector-E

Другие транзисторы... NJT4030PT1G , NJT4030PT3G , NJT4031N , NJT4031NT3G , NSL12AWT1G , NSM4002MR6 , NSM6056M , NSM80100MT1G , BC549 , NSS12100M3 , NSS12100UW3TCG , NSS12100XV6 , NSS12200LT1G , NSS12200W , NSS12201LT1G , NSV12100UW3TCG , NSV12100XV6T1G .

 

 
Back to Top

 


 
.