Биполярный транзистор NSM80101MT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSM80101MT1G
Маркировка: 3NP
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT26 SOT457
Аналоги (замена) для NSM80101MT1G
NSM80101MT1G Datasheet (PDF)
nsm80101mt1g.pdf
NSM80101MT1GNPN Transistor with DualSeries Switching DiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantTypical Applications http://onsemi.com LCD Control Board High Speed SwitchingNPN Transistor with Dual Series High Voltage SwitchingSwitching DiodeMAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTORRating Symbol Value Unit6 5 4Collector-E
nsm80100mt1g.pdf
NSM80100MT1GPNP Transistor with DualSeries Switching DiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantTypical Applications http://onsemi.com LCD Control Board High Speed SwitchingPNP Transistor with Dual Series High Voltage SwitchingSwitching DiodeMAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTORRating Symbol Value Unit6 5 4Collector-E
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050