Справочник транзисторов. NSS12100UW3TCG

 

Биполярный транзистор NSS12100UW3TCG Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS12100UW3TCG
   Маркировка: VG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: WDFN3
 

 Аналог (замена) для NSS12100UW3TCG

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS12100UW3TCG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  onsemi
 nss12100uw3tcg.pdf pdf_icon

NSS12100UW3TCG

NSS12100UW3TCG12 V, 1 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 6.1. Size:82K  onsemi
 nss12100m3t5g.pdf pdf_icon

NSS12100UW3TCG

NSS12100M3T5G12 V, 1 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.

 6.2. Size:82K  onsemi
 nss12100m3.pdf pdf_icon

NSS12100UW3TCG

NSS12100M3T5G12 V, 1 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.

 6.3. Size:100K  onsemi
 nss12100xv6.pdf pdf_icon

NSS12100UW3TCG

NSS12100XV6T1G12 V, 1 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NJT4031N , NJT4031NT3G , NSL12AWT1G , NSM4002MR6 , NSM6056M , NSM80100MT1G , NSM80101MT1G , NSS12100M3 , 2SC2240 , NSS12100XV6 , NSS12200LT1G , NSS12200W , NSS12201LT1G , NSV12100UW3TCG , NSV12100XV6T1G , NSV1C200LT1G , NSV1C200MZ4T1G .

History: 2SB205 | DTC115TKA | KT3102V | 2SD380A

 

 
Back to Top

 


 
.