Справочник транзисторов. NSS12200LT1G

 

Биполярный транзистор NSS12200LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS12200LT1G
   Маркировка: VE
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.71 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSS12200LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS12200LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  onsemi
 nss12200lt1g.pdf pdf_icon

NSS12200LT1G

NSS12200LT1G12 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 5.1. Size:192K  onsemi
 nss12200l.pdf pdf_icon

NSS12200LT1G

NSS12200L12 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.www.onsemi.comT

 6.1. Size:179K  onsemi
 nss12200wt1g.pdf pdf_icon

NSS12200LT1G

NSS12200WT1GLow VCE(sat) Transistor, PNP, 12 V, 2.0 A, SOT-363 PackageON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowhttp://onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 12 VOLTSwhere affordable e

 6.2. Size:105K  onsemi
 nss12200w.pdf pdf_icon

NSS12200LT1G

NSS12200WT1G12 V, 2 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N1838

 

 
Back to Top

 


 
.