NSS12201LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NSS12201LT1G  📄📄 

Маркировка: VF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.54 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NSS12201LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS12201LT1G даташит

 ..1. Size:599K  onsemi
 nss12201lt1g.pdf pdf_icon

NSS12201LT1G

NSS12201LT1G 12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 5.1. Size:126K  onsemi
 nss12201l.pdf pdf_icon

NSS12201LT1G

NSS12201LT1G 12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:122K  onsemi
 nss12200lt1g.pdf pdf_icon

NSS12201LT1G

NSS12200LT1G 12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 7.2. Size:192K  onsemi
 nss12200l.pdf pdf_icon

NSS12201LT1G

NSS12200L 12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. www.onsemi.com T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSM6056M, NSM80100MT1G, NSM80101MT1G, NSS12100M3, NSS12100UW3TCG, NSS12100XV6, NSS12200LT1G, NSS12200W, 2SC2383, NSV12100UW3TCG, NSV12100XV6T1G, NSV1C200LT1G, NSV1C200MZ4T1G, NSV1C201LT1G, NSV1C201MZ4T1G, NSV1C300ET4G, NSV1C301ET4G