Справочник транзисторов. NJV4030PT1G

 

Биполярный транзистор NJV4030PT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: NJV4030PT1G
   Маркировка: 4030P
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для NJV4030PT1G

 

 

NJV4030PT1G Datasheet (PDF)

 5.1. Size:132K  onsemi
njv4030pt.pdf

NJV4030PT1G
NJV4030PT1G

NJT4030P,NJV4030PT1G,NJV4030PT3GBipolar Power TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeaturesPNP TRANSISTOR Collector -Emitter Sustaining Voltage - 3.0 AMPERESVCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc40 VOLTS, 2.0 WATTS High DC Current Gain - hFE = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc= 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.2

 6.1. Size:190K  onsemi
njt4030p njv4030p.pdf

NJV4030PT1G
NJV4030PT1G

Bipolar Power TransistorsPNP SiliconNJT4030P, NJV4030PFeatures Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3.0 AMPERESCompliant40 VOLTS, 2.0 WATT

 8.1. Size:180K  onsemi
njt4031n njv4031nt1g njv4031nt3g.pdf

NJV4030PT1G
NJV4030PT1G

NJT4031N,NJV4031NT1G,NJV4031NT3GBipolar Power TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 inNPN TRANSISTOR NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3.0 AMPERESUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q10140 VOLTS, 2.0 WATTSQualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free a

 8.2. Size:132K  onsemi
njv4031nt.pdf

NJV4030PT1G
NJV4030PT1G

NJT4031N,NJV4031NT1G,NJV4031NT3GBipolar Power TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeaturesNPN TRANSISTOR Collector -Emitter Sustaining Voltage - 3.0 AMPERESVCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Current Gain - 40 VOLTS, 2.0 WATTShFE = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc= 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.1

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top