Биполярный транзистор NJV4030PT3G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NJV4030PT3G
Маркировка: 4030P
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для NJV4030PT3G
NJV4030PT3G Datasheet (PDF)
njv4030pt.pdf
NJT4030P,NJV4030PT1G,NJV4030PT3GBipolar Power TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeaturesPNP TRANSISTOR Collector -Emitter Sustaining Voltage - 3.0 AMPERESVCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc40 VOLTS, 2.0 WATTS High DC Current Gain - hFE = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc= 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.2
njt4030p njv4030p.pdf
Bipolar Power TransistorsPNP SiliconNJT4030P, NJV4030PFeatures Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS3.0 AMPERESCompliant40 VOLTS, 2.0 WATT
njt4031n njv4031nt1g njv4031nt3g.pdf
NJT4031N,NJV4031NT1G,NJV4031NT3GBipolar Power TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 inNPN TRANSISTOR NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3.0 AMPERESUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q10140 VOLTS, 2.0 WATTSQualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free a
njv4031nt.pdf
NJT4031N,NJV4031NT1G,NJV4031NT3GBipolar Power TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeaturesNPN TRANSISTOR Collector -Emitter Sustaining Voltage - 3.0 AMPERESVCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Current Gain - 40 VOLTS, 2.0 WATTShFE = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc= 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.1
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
