NJW3281G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NJW3281G 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75
Корпус транзистора: TO3P
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для NJW3281G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NJW3281G даташит
njw1302g njw3281g.pdf
NJW3281G (NPN) NJW1302G (PNP) Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors The NJW3281G and NJW1302G are power transistors for high http //onsemi.com power audio, disk head positioners and other linear applications. Features 15 AMPERES Exceptional Safe Operating Area COMPLEMENTARY NPN/PNP Gain Matching within 10% from 50 mA to 5 A Excellent Gain Linearity SI
njw3281g njw1302g.pdf
NJW3281G (NPN) NJW1302G (PNP) Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors The NJW3281G and NJW1302G are power transistors for high http //onsemi.com power audio, disk head positioners and other linear applications. Features 15 AMPERES Exceptional Safe Operating Area COMPLEMENTARY NPN/PNP Gain Matching within 10% from 50 mA to 5 A Excellent Gain Linearity SI
njw3281g.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor NJW3281G DESCRIPTION With TO-3PN packaging Reliable performance at higher powers Accurate reproduction of Input signal Greater dynamic range Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators High frequency inverters General purpose powe
njw3281gt4tl.pdf
NJW3281GT4TL DESCRIPTION With TO-3PN packaging Reliable performance at higher powers Accurate reproduction of Input signal Greater dynamic range Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators High frequency inverters General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
Другие транзисторы: NJVMJB44H11T4G, NJVMJB45H11T4G, NJVNJD2873T4G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G, NJW1302G, NJW21193G, NJW21194G, 2N5401, NJW44H11, NJW44H11G, NJVNJD1718T4G, NSS20300MR6, NSS20500UW3T2G, NSS20500UW3TBG, NSS20501UW3T2G, NSS20501UW3TBG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139





