NSS20601CF8T1G - описание и поиск аналогов

 

NSS20601CF8T1G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NSS20601CF8T1G
   Маркировка: VD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: DFN3X2

 Аналоги (замена) для NSS20601CF8T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS20601CF8T1G - технические параметры

 ..1. Size:83K  onsemi
nss20601cf8t1g.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

NSS20601CF8T1G 20 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 3.1. Size:82K  onsemi
nss20601cf8-d.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

NSS20601CF8T1G 20 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:106K  onsemi
nss20600cf8.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

NSS20600CF8T1G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. http //onsem

 9.1. Size:202K  onsemi
nss20200dmt.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

DATA SHEET www.onsemi.com Low VCE(sat) PNP Transistors 20 Volt, 2 Amp PNP Low VCE(sat) Transistors 20 V, 2 A NSS20200DMT MARKING DIAGRAM onsemi s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are 1 6 miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage WDFN6 AT MG 2 5 (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use CASE 506AN G 3 4 1

Другие транзисторы... NJW44H11 , NJW44H11G , NJVNJD1718T4G , NSS20300MR6 , NSS20500UW3T2G , NSS20500UW3TBG , NSS20501UW3T2G , NSS20501UW3TBG , A1015 , NSS40200LT1G , NSS40201LT1G , NSS40300DDR2G , NSS40300MDR2G , NJVMJD112G , NJVMJD112T4G , NJVMJD117T4G , NJVMJD122T4G .

 

 
Back to Top

 


 
.