Справочник транзисторов. NSS20601CF8T1G

 

Биполярный транзистор NSS20601CF8T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS20601CF8T1G
   Маркировка: VD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для NSS20601CF8T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS20601CF8T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  onsemi
nss20601cf8t1g.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

NSS20601CF8T1G20 V, 8.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 3.1. Size:82K  onsemi
nss20601cf8-d.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

NSS20601CF8T1G20 V, 8.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:106K  onsemi
nss20600cf8.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

NSS20600CF8T1G20 V, 7.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.http://onsem

 9.1. Size:202K  onsemi
nss20200dmt.pdfpdf_icon

NSS20601CF8T1G

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) PNP Transistors 20 Volt, 2 AmpPNP Low VCE(sat) Transistors20 V, 2 ANSS20200DMT MARKINGDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1 6miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltageWDFN6AT MG2 5(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for useCASE 506ANG3 41

Другие транзисторы... NJW44H11 , NJW44H11G , NJVNJD1718T4G , NSS20300MR6 , NSS20500UW3T2G , NSS20500UW3TBG , NSS20501UW3T2G , NSS20501UW3TBG , TIP3055 , NSS40200LT1G , NSS40201LT1G , NSS40300DDR2G , NSS40300MDR2G , NJVMJD112G , NJVMJD112T4G , NJVMJD117T4G , NJVMJD122T4G .

History: CTN392 | GT45

 

 
Back to Top

 


 
.