NSS40201LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS40201LT1G

Маркировка: VB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.54 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSS40201LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40201LT1G даташит

 ..1. Size:86K  onsemi
 nss40201lt1g nsv40201lt1g.pdf pdf_icon

NSS40201LT1G

NSS40201LT1G, NSV40201LT1G 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) www.onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These 40 VOLTS, 2.0 AMPS are designed for use in low voltage, high speed switching applications NPN LOW VCE(sat) TRA

 ..2. Size:106K  onsemi
 nss40201lt1g.pdf pdf_icon

NSS40201LT1G

NSS40201LT1G, NSV40201LT1G 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These 40 VOLTS, 2.0 AMPS are designed for use in low voltage, high speed switching applications NPN LOW VCE(sat)

 5.1. Size:126K  onsemi
 nss40201l.pdf pdf_icon

NSS40201LT1G

NSS40201LT1G 40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:86K  onsemi
 nss40200l nsv40200l.pdf pdf_icon

NSS40201LT1G

NSS40200L, NSV40200L 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is im

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NJVNJD1718T4G, NSS20300MR6, NSS20500UW3T2G, NSS20500UW3TBG, NSS20501UW3T2G, NSS20501UW3TBG, NSS20601CF8T1G, NSS40200LT1G, BD140, NSS40300DDR2G, NSS40300MDR2G, NJVMJD112G, NJVMJD112T4G, NJVMJD117T4G, NJVMJD122T4G, NJVMJD127T4G, NJVMJD128T4G