Биполярный транзистор NJVMJD210T4G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NJVMJD210T4G
Маркировка: J210
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для NJVMJD210T4G
NJVMJD210T4G Datasheet (PDF)
njvmjd210 mjd200.pdf
MJD200 (NPN),MJD210 (PNP)Complementary PlasticPower TransistorsNPN/PNP Silicon DPAK For Surfacehttp://onsemi.comMount ApplicationsDesigned for low voltage, low-power, high-gain audioSILICONamplifier applications.POWER TRANSISTORSFeatures5 AMPERES High DC Current Gain25 VOLTS, 12.5 WATTS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves(No Suffix
njvmjd243 njvmjd253.pdf
MJD243,NJVMJD243T4G (NPN),MJD253,NJVMJD253T4G (PNP)Complementary Siliconhttp://onsemi.comPlastic Power TransistorDPAK-3 for Surface Mount Applications4.0 A, 100 V, 12.5 WPOWER TRANSISTORDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc High DC Cu
njvmjd2955 njvmjd3055.pdf
MJD2955 (PNP),MJD3055 (NPN)Complementary PowerTransistorsDPAK for Surface Mount Applicationshttp://onsemi.comDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingapplications.SILICONFeatures POWER TRANSISTORS10 AMPERES Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves(No Suffix)60 VOLTS, 20 WATTS Straight Lead Version in Plastic Sleeves (
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050