NJVMJD253T4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NJVMJD253T4G

Маркировка: J253

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для NJVMJD253T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJVMJD253T4G даташит

 5.1. Size:200K  onsemi
 njvmjd243 njvmjd253.pdf pdf_icon

NJVMJD253T4G

MJD243, NJVMJD243T4G (NPN), MJD253, NJVMJD253T4G (PNP) Complementary Silicon http //onsemi.com Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications 4.0 A, 100 V, 12.5 W POWER TRANSISTOR Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Cu

 7.1. Size:128K  onsemi
 njvmjd2955 njvmjd3055.pdf pdf_icon

NJVMJD253T4G

 7.2. Size:142K  onsemi
 njvmjd210 mjd200.pdf pdf_icon

NJVMJD253T4G

MJD200 (NPN), MJD210 (PNP) Complementary Plastic Power Transistors NPN/PNP Silicon DPAK For Surface http //onsemi.com Mount Applications Designed for low voltage, low-power, high-gain audio SILICON amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features 5 AMPERES High DC Current Gain 25 VOLTS, 12.5 WATTS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NJVMJD112T4G, NJVMJD117T4G, NJVMJD122T4G, NJVMJD127T4G, NJVMJD128T4G, NJVMJD148T4G, NJVMJD210T4G, NJVMJD243T4G, 2SD1047, NJVMJD2955T4G, NJVMJD3055T4G, NJVMJD31CG, NJVMJD31CRLG, NJVMJD31CT4G, NJVMJD31T4G, NJVMJD32CG, NJVMJD32CT4G