NJVMJD32CG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NJVMJD32CG

Маркировка: J32C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для NJVMJD32CG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJVMJD32CG даташит

 5.1. Size:132K  onsemi
njvmjd31ct4g-vf01 njvmjd32ct4g-vf01.pdfpdf_icon

NJVMJD32CG

NJVMJD3xxT4G-VF01 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching www.onsemi.com applications. Features SILICON Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves POWER TRANSISTORS Straight Lead Version in Plastic Sleeves ( 1 Suffix) 3 AMPERES Lead Formed Version in 16 mm

 6.1. Size:140K  onsemi
njvmjd31 njvmjd32.pdfpdf_icon

NJVMJD32CG

 7.1. Size:172K  onsemi
njvmjd340 njvmjd350.pdfpdf_icon

NJVMJD32CG

MJD340, NJVMJD340T4G (NPN), MJD350, NJVMJD350T4G (PNP) High Voltage Power http //onsemi.com Transistors DPAK For Surface Mount Applications SILICON Designed for line operated audio output amplifier, switchmode POWER TRANSISTORS power supply drivers and other switching applications. 0.5 AMPERE Features 300 VOLTS, 15 WATTS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic S

Другие транзисторы: NJVMJD243T4G, NJVMJD253T4G, NJVMJD2955T4G, NJVMJD3055T4G, NJVMJD31CG, NJVMJD31CRLG, NJVMJD31CT4G, NJVMJD31T4G, MJE340, NJVMJD32CT4G, NJVMJD32T4G, NJVMJD340T4G, NJVMJD350T4G, NJVMJD41CT4G, NJVMJD42CRLG, NJVMJD42CT4G, NJVMJD44E3T4G