Справочник транзисторов. NSBA114EF3T5G

 

Биполярный транзистор NSBA114EF3T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSBA114EF3T5G
   Маркировка: F
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT1123-3
 

 Аналог (замена) для NSBA114EF3T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBA114EF3T5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  onsemi
nsba114ef3t5g.pdfpdf_icon

NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G SeriesPreferred DevicesDigital Transistors (BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistorhttp://onsemi.comcontains a single transistor with a monolithic bias network consistingof two resistors;

 4.1. Size:112K  onsemi
nsba114ef3-d.pdfpdf_icon

NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G SeriesPreferred DevicesDigital Transistors (BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistorhttp://onsemi.comcontains a single transistor with a monolithic bias network consistingof two resistors;

 6.1. Size:101K  onsemi
nsba114edxv.pdfpdf_icon

NSBA114EF3T5G

NSBA114EDXV6T1,NSBA114EDXV6T5 SERIESPreferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsPNP Silicon Surface Mount Transistorshttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor Network(3) (2) (1)The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseR1 R2resistor and a base-emitter resistor. These digi

 6.2. Size:96K  onsemi
nsba114edp6.pdfpdf_icon

NSBA114EF3T5G

NSBA114EDP6T5G SeriesPreferred DevicesDual Digital Transistors(BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistor(3) (2) (1)contains a single transistor with a monolithic bias network consistin

Другие транзисторы... NJVMJD45H11G , NJVMJD45H11RLG , NJVMJD45H11T4G , NJVMJD47T4G , NJVMJD50T4G , NJVMJD6039T4G , NSBA114EDP6T5G , NSBA114EDXV6T1G , 13005 , NSBA114TDP6T5G , NSBA114TDXV6T1G , NSBA114TDXV6T5G , NSBA114TF3T5G , NSBA114YDP6T5G , NSBA114YDXV6T1G , NSBA114YF3T5G , NST30010MXV6T1G .

 

 
Back to Top

 


 
.