Биполярный транзистор NST65011M Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NST65011M
Маркировка: 2G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT363
Аналог (замена) для NST65011M
NST65011M Datasheet (PDF)
nst65011mw6.pdf

NST65011MW6Dual Matched GeneralPurpose TransistorNPN Matched PairThese transistors are housed in an ultra-small SOT-363 packagewww.onsemi.comideally suited for portable products. They are assembled to create apair of devices highly matched in all parameters, eliminating the needfor costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential,Sense and Balanced Amplifiers; M
nst65010m.pdf

NST65010MW6Dual Matched GeneralPurpose TransistorPNP Matched PairThese transistors are housed in an ultra-small SOT-363 packagewww.onsemi.comideally suited for portable products. They are assembled to create apair of devices highly matched in all parameters, eliminating the needfor costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential,6Sense and Balanced Amplifiers
nst65010mw6.pdf

NST65010MW6Dual Matched GeneralPurpose TransistorPNP Matched PairThese transistors are housed in an ultra-small SOT-363 packagewww.onsemi.comideally suited for portable products. They are assembled to create apair of devices highly matched in all parameters, eliminating the needfor costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential,6Sense and Balanced Amplifiers
Другие транзисторы... NST3906DXV6T1G , NST3946DP6T5G , NST3946DXV6T1G , NST3946DXV6T5G , NST45010MW6T1G , NST489AMT1G , NST65010M , NST65010MW6T1G , BC549 , NST65011MW6T1G , NST847BDP6T5G , NST857BDP6T5G , 3DD5011 , 2SD5011 , D4203D , NSBA113EDXV6 , NSBA113EDXV6T1 .
History: BFS17AW | KRA104 | AFY75 | BCW99 | BLU56 | BU808DXI | TFN3838
History: BFS17AW | KRA104 | AFY75 | BCW99 | BLU56 | BU808DXI | TFN3838



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232