Справочник транзисторов. NST847BDP6T5G

 

Биполярный транзистор NST847BDP6T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NST847BDP6T5G
   Маркировка: J
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT963
 

 Аналог (замена) для NST847BDP6T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NST847BDP6T5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  onsemi
nst847bdp6t5g.pdfpdf_icon

NST847BDP6T5G

NST847BDP6T5GDual General PurposeTransistorThe NST847BDP6T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed forgeneral purpose amplifier applications and is housed in the SOT-963six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices inone package, this device is ideal for low-power surface mount www.onsemi.comapplications

 4.1. Size:93K  onsemi
nst847bdp6.pdfpdf_icon

NST847BDP6T5G

NST847BDP6T5GDual General PurposeTransistorThe NST847BDP6T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed forgeneral purpose amplifier applications and is housed in the SOT-963six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices inone package, this device is ideal for low-power surface mounthttp://onsemi.comapplicat

 7.1. Size:101K  onsemi
nst847bpdp6.pdfpdf_icon

NST847BDP6T5G

NST847BPDP6T5GDual ComplementaryGeneral Purpose TransistorThe NST847BPDP6T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed forgeneral purpose amplifier applications and is housed in the SOT-963six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices inhttp://onsemi.comone package, this device is ideal for low-power surface

 7.2. Size:153K  onsemi
nst846bmx2 nst847amx2 nst847bmx2.pdfpdf_icon

NST847BDP6T5G

DATA SHEETwww.onsemi.comCOLLECTORGeneral Purpose3Transistors1BASENPN Silicon2NST846BMX2,EMITTERNST847AMX2,NST847BMX2 3Features1 Moisture Sensitivity Level: 12 ESD Rating - Human Body Model: > 4000 VX2DFN3 (1.0x0.6)ESD Rating - Machine Model: > 350 VCASE 714AC These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantMAXIMUM RA

Другие транзисторы... NST3946DXV6T1G , NST3946DXV6T5G , NST45010MW6T1G , NST489AMT1G , NST65010M , NST65010MW6T1G , NST65011M , NST65011MW6T1G , D667 , NST857BDP6T5G , 3DD5011 , 2SD5011 , D4203D , NSBA113EDXV6 , NSBA113EDXV6T1 , NSBA113EDXV6T1G , NSBA113EF3 .

History: 2SD1218 | D40D1 | 3STF1640 | KRA301 | FTA1037AK | KRC401E | NR421FR

 

 
Back to Top

 


 
.