NSBA115TDP6T5G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NSBA115TDP6T5G
Маркировка: A
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160
Корпус транзистора: SOT963
Аналоги (замена) для NSBA115TDP6T5G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSBA115TDP6T5G даташит
nsba115tdp6.pdf
NSBA115TDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 100 kW, R2 = 8 kW PNP Transistors with Monolithic Bias http //onsemi.com Resistor Network PIN CONNECTIONS This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor (3) (2) (1) Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consis
nsba115tf3.pdf
MUN2141, MMUN2141L, MUN5141, DTA115TE, DTA115TM3, NSBA115TF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 100 kW, R2 = 8 kW http //onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (
nsba115edxv6.pdf
MUN5136DW1, NSBA115EDXV6 Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 100 kW, R2 = 100 kW http //onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single (3) (2) (1) device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias
Другие транзисторы: NSBA113EDXV6, NSBA113EDXV6T1, NSBA113EDXV6T1G, NSBA113EF3, NSBA113EF3T5G, NSBA115EDXV6, NSBA115EDXV6T1G, NSBA115TDP6, A42, NSBA115TF3, NSBA115TF3T5G, NSBA123EDXV6, NSBA123EDXV6T1G, NSBA123EF3, NSBA123EF3T5G, NSBA123JDP6, NSBA123JDP6T5G
History: 2SC69 | HN1C03F | RS7530 | HN1C01FU | HN1C01FE | 2SC3601F | 2SC360
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123



