NSB4904DW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSB4904DW1T1G

Маркировка: RC

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для NSB4904DW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSB4904DW1T1G даташит

 ..1. Size:224K  onsemi
nsb4904dw1t1g nsb4904dw1t2g.pdfpdf_icon

NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G, NSB4904DW1T2G Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount http //onsemi.com Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 6 5 4 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with R1 R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base Q1 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are Q2

 3.1. Size:148K  onsemi
nsb4904dw1t.pdfpdf_icon

NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G, NSB4904DW1T2G Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount http //onsemi.com Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 6 5 4 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with R1 R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base Q1 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are Q2

 4.1. Size:144K  onsemi
nsb4904dw1.pdfpdf_icon

NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G, NSB4904DW1T2G Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount http //onsemi.com Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 6 5 4 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with R1 R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base Q1 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are Q2

Другие транзисторы: NSBA123JDXV6T5G, NSBA123JF3, NSBA123JF3T5G, NSBA123TDP6, NSBA123TDP6T5G, NSBA123TF3, NSBA123TF3T5G, NSB1706DMW5T1G, C5198, NSB9435T1G, NSBA124EDP6, NSBA124EDP6T5G, NSBA124EDXV6, NSBA124EDXV6T1G, NSBA124EF3, NSBA124EF3T5G, NSBA124XDXV6