Справочник транзисторов. NSS12501UW3T2G

 

Биполярный транзистор NSS12501UW3T2G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS12501UW3T2G
   Маркировка: VF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: WDFN3
 

 Аналог (замена) для NSS12501UW3T2G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS12501UW3T2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  onsemi
 nss12501uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS12501UW3T2G

NSS12501UW3T2G12 V, 7.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 3.1. Size:82K  onsemi
 nss12501uw3-d.pdf pdf_icon

NSS12501UW3T2G

NSS12501UW3T2G12 V, 7.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:108K  onsemi
 nss12500uw3.pdf pdf_icon

NSS12501UW3T2G

NSS12500UW3T2G12 V, 8.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is impor

 7.2. Size:108K  onsemi
 nss12500uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS12501UW3T2G

NSS12500UW3T2G12 V, 8.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is impor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: KT340G | FN1L4Z | BLX72 | GT705A | KT316A | MPSH07

 

 
Back to Top

 


 
.