Справочник транзисторов. NSS1C201MZ4T3G

 

Биполярный транзистор NSS1C201MZ4T3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS1C201MZ4T3G
   Маркировка: 1C201
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для NSS1C201MZ4T3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS1C201MZ4T3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
 nss1c201mz4t3g.pdf pdf_icon

NSS1C201MZ4T3G

NSS1C201MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 3.1. Size:109K  onsemi
 nss1c201mz4.pdf pdf_icon

NSS1C201MZ4T3G

NSS1C201MZ4,NSV1C201MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy cont

 3.2. Size:104K  onsemi
 nss1c201mz4 nsv1c201mz4.pdf pdf_icon

NSS1C201MZ4T3G

NSS1C201MZ4,NSV1C201MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy cont

 6.1. Size:76K  onsemi
 nss1c201l.pdf pdf_icon

NSS1C201MZ4T3G

NSS1C201L, NSV1C201L100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswww.onsemi.comwhere affordable efficient energy control is i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.