Справочник транзисторов. NSS1C300E

 

Биполярный транзистор NSS1C300E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS1C300E
   Маркировка: 1C30E
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для NSS1C300E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS1C300E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  onsemi
 nss1c300e.pdf pdf_icon

NSS1C300E

NSS1C300ET4G100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturationvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedhttp://onsemi.comfor use in low voltage, high speed switching applications whereaffordable efficient energy control is important.Typi

 0.1. Size:164K  onsemi
 nss1c300et4g.pdf pdf_icon

NSS1C300E

NSS1C300ET4G100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturationvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedwww.onsemi.comfor use in low voltage, high speed switching applications whereaffordable efficient energy control is important.Typical

 7.1. Size:160K  onsemi
 nss1c301et4g.pdf pdf_icon

NSS1C300E

NSS1C301ET4G100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturationvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedfor use in low voltage, high speed switching applications wherewww.onsemi.comaffordable efficient energy control is important.Typical

 7.2. Size:114K  onsemi
 nss1c301e.pdf pdf_icon

NSS1C300E

NSS1C301ET4G100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturationvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedfor use in low voltage, high speed switching applications wherehttp://onsemi.comaffordable efficient energy control is important.Typi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: GT905B

 

 
Back to Top

 


 
.